到光刻过程中，让它成为工艺的一部分。
我们不可能挨个挨个去计算光的轨道角动量。
我想的是采用第二类外尔半金属来设计合适的电极形状，通过这样的方式来设计合适的电极形状，进而制备探测器原型器件，
因为理论上来说，我们最终的光刻需要利用到它的二阶非线性响应，由微扰理论框架下得到电流响应系数张量，由此分析响应系数张量和晶体结构对称性之间的联系，分辨入射光的OAM阶数，最终设计出不同阶数的光刻光源。”
陈元光在绵阳终于取得了不错的进展，将光刻机作用于拓扑半金属的进展往前推进了一大步。
因为拓扑半金属的光敏感性和光刻胶要用到的光源是截然不同的，而哪怕是采用相同工艺制造出来的拓扑半金属，都可能需要不同的光源来做刻蚀。
这就涉及到你如何去设计光源，因为不可能每一次拓扑半金属都要重新计算它的参数，然后根据参数去计算出光源的偏振和波长，这不现实也不是传统工业的模式。
在未来时空，技术发展史上他们把这些集成到了一台设备上，受限于光刻机是别人的，他们只能做微调，所以想集成是不可能的，只能增加工艺。
这需要完全重新设计，之前他们一直卡在这里无法往前推进。
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